紅外光譜分析法在硅中氧碳含量測量上的運用

　　單晶硅原材料能夠用作生產制造太陽能電池板、集成電路工藝等，因為其主要用途的多樣性規定其純凈度超過99.9999% 乃至更高。在單晶硅加工過程中由原材料及方式 等要素在所難免的導入了碳、氧等殘渣，危害了單晶硅的特性。因而需對單晶硅材料中的氧碳含量進行控制。

　　依據G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對單晶硅中代位碳和間隙氧進行定性的同時進行定量測定,具有快速、方便、準確的優點。利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根據吸收峰的吸收系數來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。

　　1、采用硅中氧碳含量測試軟件依次進行如下操作：背景掃描→輸入參比厚度→掃描參比樣品→輸入樣品厚度→掃描樣品→記錄數據;

　　2、重復樣品掃描2次并記錄數據，得到如下圖所示結果。

　　3、測試數據

　　這也就證明了氧碳含量測試工具能夠便捷、迅速的對單晶硅原材料中的代位氧原子、空隙氧原子開展定量分析測量。